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新型高性能二维半导体材料研发获突破_蜘蛛资讯网

破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。据介绍，原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而，晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应，使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少，以及N型材料性能好，P型材料性能差的结构性失衡问题。针对上述问题，研究团队建立

p;   其中，在OLED市场分化中，刚性OLED延续颓势，预计年度出货量1.27亿件，降幅扩大至17%；柔性OLED虽仍保持6.51亿件出货规模，但5%的同比下滑使其遭遇七年来首次收缩。（青山）

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